ХІМІЧНЕ ОСАДЖЕННЯ З ГАЗОВОЇ ФАЗИ

отримання твердих в-в р-ціями за участю газоподібних сполук. За механізмом р-ций підрозділяється на 4 види: 1) тримаючи. розкладання або диспропорционирование газоподібних соед. , Напр. siH 4

Si, ZrI 4

Zr, Ni (CO) 4

Ni, A1F

Al, MR n

M, де M - метал, R - орг. радикал; 2) взаємодій. двох або більше газоподібних в-в, напр. WF ₆ + Н 2

W, SiCl ₄ + NH 3

Si ₃ N _{4 , UF} 6 _{+ Н} 2 _{+ O} 2 UO

2 _{; 3) піроліз газоподібних вуглеводнів (відрізняється багатостадійну і розгалуженістю); 4) взаємодій. газоподібних в-в з твердими (контактна осадження), напр. : WF} 6 _{+ Si} W. Наїб. численні р-ції другого виду. Р-ції поглинання газоподібних оксидів або галогенідів твердими в-вами (типу СаО + СО

2 СаСО

3 _{, NaF + HF} NaHF

2 _{) не відносять до хім. осадження з газової фази (X. о.).} Процеси X. о. проводять при звичайному або зниженому тиску. Для активування використовують один з трьох осн. методів: термічний, фотохім. (Включаючи лазерний) і плазмовий.
Як правило, X. о. проводять на нерухомій підкладці. Однак відомі конструкції апаратів для X. о. , В яких брало підкладки переміщаються уздовж реакційної зони, гойдаються або обертаються в ній, а також знаходяться в підвішеному стані, Це дозволяє отримувати плоскі, циліндричні. і сферич. покриття, стрічки, конуси, нитки, стрижні і тіла довільної форми, а в поєднанні з фотолитографией - складні мікроструктури (див.
Планарная технологія). X. о. може протікати в обсязі і використовуватися для отримання порошків (підкладками служать зародки твердих продуктів). За допомогою X. о. отримують ок. 200 в-в, серед яких брало прості в-ва і неорг. соед. , А також дек. орг. з'єднань (напр., різновиди поліетилену), сплави металів, аморфні "сплави" Si з Н, F, C1 і ін.
Осн. області застосування X. о. : Нанесення функцією, шарів провідників, напівпровідників і діелектриків (W, Si, SiO
2 _{, Si} 3 _N 4 _{і ін.) При произове електронних приладів і схем; нанесення різноманітних захисних та декоративних покриттів на деталі машин і апаратів, на інструменти, нанесення захисних та відображають оптич. покриттів; виготовлення деталей і виробів з тугоплавких в-в, напр. сопел з графіту або W для ракетних двигунів; вирощування заготовок для кварцових оптич. волокон, в т. ч. зі змінним по діаметру показником заломлення; вироб-во ядерного палива (мікротвелов); вироб-во об'ємних монокристалів і "вусів" для композиційних матеріалів; вироб-во високопористих ультрадисперсних порошків (напр., компонентів кераміки, наповнювачів, адсорбентів). X. о. може бути однією з стадій} хімічних транспортних реакцій. Літ. :

Осадження плівок і покриттів розкладанням металоорганічнихз'єднань, М., 1981; Корольов Ю. М., Столяров В. І., Відновлення фторидів тугоплавких металів воднем, М., 1981; Сиркін В. Г., газофазних металлизация через карбоніли, М., 1984; Емяшев А. В., газофазних металургія тугоплавких сполук, М., 1987; Раків Е. Г., Тесленко В. В., Хімія в мікроелектроніці. (Хімічне осадження з газової фази), М., 1988; Тесла енко В. В., «Успіхи хімії», 1990, т. 59, ст. 2, с. 177-96. Е. Г. Раков, В.В. Тесленко.

Хімічна енциклопедія. - М.: Радянська енциклопедія. Під ред. І. Л. Кнунянц. 1988.