Фотолітографія

спосіб формування рельєфного покриття заданої конфігурації за допомогою фоторезистов. Ф. зазвичай включає: 1) нанесення фоторезиста на метал, діелектрик або напівпровідник методами центрифугування, напилення або сублімації; 2) сушку фоторезиста при 90-110 0 C для поліпшення його адгезії до підкладки; 3) експонування фоторезиста видимим або УФ випромінюванням через фотошаблон (скло, кварц і ін.) З заданим малюнком для формування прихованого зображення; здійснюється за допомогою ртутних ламп (при контактному способі експонування) або лазерів (гл. обр. при проекц. способі); 4) прояв (візуалізацію) прихованого зображення Шляхом видалення фоторезиста з опроміненого (позитивне зображення) або неопроміненого (негативний) ділянки шару вимиванням водно-лужними і орг. р-телеглядачам або сублімацією в плазмі високочастотного розряду; 5) тримаючи. обробку (дублення) отриманого рельєфного покриття (маски) при 100-200 0 C для збільшення його стійкості при травленні; б) травлення ділянок своб. пов-сті травителями кислотного типу (напр., на основі HF, NH 4 F або CH 3 COOH) або сухими методами (напр., галогенсодержащими плазмою); 7) видалення маски р-телеглядачам або випалюванням кисневої плазмою. Масштаб передачі малюнка фотошаблона зазвичай 1: 1 або 5: 1 і 10: 1 (при проекц. Способі експонування).

При виготовленні інтегральних схем процес повторюють багато разів на разл. технол. шарах матеріалу і при цьому кожен послід. малюнок повинен бути поєднаний з попе-щим.

Часто для додання фоторезістному покриттю специфічний. св-в (підвищення стійкості до Травители, зменшення відображення випромінювання від підкладки, планарізація рельєфу і ін.) формують багатошарові покриття, в яких брало один з шарів, зазвичай верхній, є власне фоторезистом, а решта мають допоміжні. ф-ції. Двошарове покриття м. Б. сформовано і в одношаровому фоторезисте шляхом локальної хім. модифікації пов-сті.

Різновиди Ф.: т. Зв. вибухова (для отримання малюнка на плівках металу) і інверсійна (для отримання профілю зображення з отрицат. нахилом стінок). У першому випадку малюнок виходить шляхом напилення шару металу на пластину з виявленим фоторезистом, а при знятті фоторезиста видаляють частину металеві. шару, що осів на маску; у другому - на позитивному фоторезисте отримують негативний малюнок.

Осн. вимоги до Ф.: висока роздільна здатність, мінімально вноситься дефектність і велика продуктивність, к-які визначаються зазвичай св-вами фоторезистов, параметрами фотолітографіч. обладнання та чистотою технол. приміщень.

Разом з ін. Видами мікролітографії - електроно-, рен-тгено- і іонолітографіей (соотв. Експонування потоком електронів, рентгенівськими променями і іонами легких елементів) - Ф. є одним з методів планарной технології і застосовується для виготовлення інтегральних мікросхем, друкованих плат, запам'ятовуючих пристроїв, високочастотних приладів і ін.

Літ. : M про r про У., мікролітографії, пров.з англ. , M., 1990. Див. Також літ. при ст. Планарная технологія. Г. К. Селіванов.


Хімічна енциклопедія. - М.: Радянська енциклопедія. Під ред. І. Л. Кнунянц. 1988.